半導(dǎo)體器件鍍層厚度測(cè)量?jī)x器

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體器件鍍層厚度測(cè)量?jī)x器高精度移動(dòng)平臺(tái)可jingzhun定位測(cè)試點(diǎn)，重復(fù)定位精度小于0.005mm、

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更新時(shí)間：2024-07-21

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產(chǎn)品分類

PRODUCT CLASSIFICATION

鍍層厚度測(cè)試儀

x射線鍍層測(cè)厚儀

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半導(dǎo)體器件鍍層厚度測(cè)量?jī)x器特點(diǎn)：

1、滿足各種不同厚度樣品以及不規(guī)則表面樣品的測(cè)試需求

2、0.1mm的小孔準(zhǔn)直器可以滿足微小測(cè)試點(diǎn)的需求

3、高精度移動(dòng)平臺(tái)可jingzhun定位測(cè)試點(diǎn)，重復(fù)定位精度小于0.005mm

4、采用高度定位激光，可自動(dòng)定位測(cè)試高度

5、定位激光jingzhun定位光斑，確保測(cè)試點(diǎn)與光斑對(duì)齊

6、鼠標(biāo)可控制移動(dòng)平臺(tái)，鼠標(biāo)點(diǎn)擊的位置就是被測(cè)點(diǎn)

7、高分辨率探頭使分析結(jié)果加

8、良好的射線屏蔽作用

9、測(cè)試口高度敏感性傳感器保護(hù)

半導(dǎo)體器件鍍層厚度測(cè)量?jī)x器技術(shù)指標(biāo)：

1、元素分析范圍：硫(S)-鈾(U)

2、yi次可同時(shí)分析：多24個(gè)元素，5層鍍層

3、分析含量：2ppm- 99.9%

4、鍍層厚度：50um以內(nèi)(每種材料有所不同)

5、任意多個(gè)可選擇的分析和識(shí)別模型

6、儀器尺寸：576 (W) x 495(D) x 545(H)mm

7、相互的基體效應(yīng)校正模型

8、多變量非線性回收程序

9、溫度適應(yīng)范圍：15C - 30C

10、電源：交流220V+5V，建議配置交流凈化穩(wěn)壓電源

11、重量：90kg

標(biāo)準(zhǔn)配置：

開放式樣品腔

高低壓電源

雙激光定位裝置

X光管

鉛玻璃屏蔽罩

高度傳感器

Si-Pin探測(cè)器

保護(hù)傳感器

信號(hào)檢測(cè)電子電路

計(jì)算機(jī)及噴墨打印機(jī)

精密二維移動(dòng)樣品平臺(tái)，探測(cè)器和X光管上下可動(dòng)，實(shí)現(xiàn)三維移動(dòng)

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